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元件参数资料
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参数目录43997
> NDB6060L MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
型号:
NDB6060L
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NDB6060L PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
产品目录绘图
D2PAK, TO-263AB Pkg
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
48A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
20 毫欧 @ 24A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
60nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2000pF @ 25V
功率 - 最大
100W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263AB
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
NDB6060LCT
查看NDB6060L代理商
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